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    當(dāng)腔室內(nèi)成為真空時(shí)，腔壁內(nèi)的污染物向腔室內(nèi)泄出(out-gassing)，此種狀況稱(chēng)為“假性漏氣”(virtual leak)，此和外界大氣泄漏至系統(tǒng)內(nèi)的真實(shí)漏氣是不同。在減少腔室內(nèi)壓力的同時(shí)污染物可能會(huì)進(jìn)入沉積膜中，此問(wèn)題可藉在晶圓夾承器上施以微小的負(fù)電偏壓 (bias)。此負(fù)電偏壓會(huì)在晶圓表面產(chǎn)生離子，能夠?qū)⒓傩月�氣泄出的污染原子由成長(zhǎng)中的膜中排出。直流電的二極式電偶濺鍍主要被用于沉積金屬。 

    將靶材和射頻產(chǎn)生器的負(fù)極相連可改善濺鍍，因?yàn)槿绱艘粊?lái)就算靶材不是導(dǎo)體也能在接近靶材附近將氣體離子化。利用射頻濺鍍對(duì)濺鍍非導(dǎo)體材料(介電體)是必要的，但亦可用以濺鍍導(dǎo)體。在射頻法中也使用偏壓來(lái)清潔晶圓的表面。射頻偏壓提供了將暴露的晶圓面侵蝕和清潔的優(yōu)點(diǎn)，做法是將晶圓夾承座放置在和氬氣不同的電場(chǎng)處，使得氬原子直接沖撞晶圓，此稱(chēng)為“濺式蝕刻”(sputter etch)、“逆向?yàn)R鍍”(reverse sputter)、或“離子研磨”(ion milling)。此種制程會(huì)將晶圓表面的污染物及晶圓表面的一層薄膜給除去。污染被除去會(huì)使暴露的晶圓區(qū)域和沉積膜間的電性接觸效果提高，并改善膜和晶圓剩余表面的黏著性。 

    在二極式電偶濺鍍中，在晶圓表面上或其附近有許多反應(yīng)發(fā)生。當(dāng)氬原子撞擊時(shí)，會(huì)產(chǎn)生許多電子，這些電子會(huì)使基材(指晶圓)被加熱，溫度升高，此會(huì)使沉積膜不均勻，同時(shí)這些電子也造成一種輻射環(huán)境，可能損傷一些敏感的組件。 

    當(dāng)沉積物是鋁時(shí)，二極式電偶濺鍍的電子加熱會(huì)造成嚴(yán)重的問(wèn)題，因?yàn)榧訜釙?huì)使靶材和腔室內(nèi)殘余的氧和鋁化合形成二氧化鋁，而鋁的氧化物是介電材料，會(huì)減低沉積鋁的導(dǎo)電性質(zhì)。更嚴(yán)重的是，靶板表面可能形成一層氧化鋁，使得沖擊來(lái)的氬原子(在二極式電偶濺鍍中)因能量不足以貫穿此層，造成靶材被封鎖住，而使得濺鍍中斷。 

    三極式電偶(triode)濺鍍法避免了一些二極式的問(wèn)題。用以將氬離子化的電子是以一獨(dú)立的高電流電熱絲來(lái)產(chǎn)生，且其位置是在沉積腔室之外，故晶圓不會(huì)受到電子產(chǎn)生時(shí)產(chǎn)生的輻射傷害。以三極式法沉積出的膜之密度較高。 

    電偶式濺鍍的另一項(xiàng)問(wèn)題是電子逃脫至腔室中，而不參與建立沉積所需要的電漿場(chǎng)。此種狀況則被“磁電”(magnetron) 式濺鍍系統(tǒng)加以解決。該系統(tǒng)在靶板背后及周?chē)�加上磁�?chǎng) (圖17)，此磁場(chǎng)會(huì)將電子捕捉 (限制) 在靶板的前方。在沉積速率增加的情形下，磁電式系統(tǒng)的效率較高。磁電式所造成的離子流(沖擊靶材的氬離子密度)比傳統(tǒng)的二極式電偶濺鍍多數(shù)倍。另一項(xiàng)效果則是因?yàn)榍皇抑行枰�較低的壓力故沉積膜更為干凈（不易產(chǎn)生假性漏氣）。由于磁電式濺鍍的靶材溫度低故常被用于濺鍍鋁和鋁合金。 
   
    量產(chǎn)級(jí)的濺鍍系統(tǒng)有數(shù)種不同的設(shè)計(jì)，腔室有批量式系統(tǒng)或單片晶圓連續(xù)式的不同設(shè)計(jì)。大部分的量產(chǎn)機(jī)都有裝填-閉鎖(load-lock)的能力。所謂裝填-閉鎖裝置是指一部分抽真空(指真空度不高)的前端腔室(antechamber)，如此可將沉積用腔室維持在真空狀態(tài)，其優(yōu)點(diǎn)是能使產(chǎn)能較高。量產(chǎn)機(jī)通常只用以沉積一或二種靶材，但研究用的機(jī)器則能使用多種不同的靶材。